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三菱电机称GaN衬底抑制高频晶体缺陷色散
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2026年11月9日，三菱电机宣布识别出晶体缺陷导致高频GaN晶体管频率色散的机理，并在全GaN衬底上测试出频率特性平坦的晶体管，称可简化数字校正电路、降低功耗。该测试由日本环境省项目委托，公司自2024年起参与其CO2减排部件材料项目。公司称该成果为“世界首创”，依据是其10月26日经Google Scholar检索的156篇论文自评，但未给出色散抑制幅度、器件规格及商用时间表。
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最新进展11月9日 21:43
三菱电机宣布识别出GaN晶体缺陷致频率色散机理，全GaN衬底晶体管测试频率特性平坦。报道时间线
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11月9日
- Interesting Engineering三菱电机称 GaN 衬底可抑制高频 GaN 晶体管频率色散
三菱电机 11 月 9 日宣布，识别出晶体缺陷导致高频 GaN 晶体管频率色散的机理，并在全 GaN 衬底上测试出频率特性平坦的晶体管，可简化数字校正电路、降低功耗。该测试由日本环境省项目委托，公司自 2024 年参与其 CO2 减排部件材料项目。公司称"世界首创"依据其 10 月 26 日经 Google Scholar 检索的 156 篇论文自评，但未给出色散抑制幅度、器件规格及商用时间表。
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