二维零磁场金属-绝缘体相变三十年综述

2026年11月9日，arXiv强关联电子板块发表一篇综述，回顾三十年前在强关联二维电子系统中实验发现的零磁场金属-绝缘体相变——该发现此前被认为被单参数标度理论所禁止。文章系统梳理了 Si MOSFETs 等二维电子与空穴系统的输运与热力学性质，包括电阻率标度、重整化自旋磁化率与有效质量、滑移 Wigner 晶体的输运证据，以及双参数标度、动力学平均场理论等理论进展。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。