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双层石墨烯Kekulé畸变下等离激元的电子-空穴不对称研究
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AI 综述
2026-11-11，arXiv介观与输运板块刊出东北师范大学与武汉大学团队的新研究。团队用紧束缚模型和无规相位近似，研究O型Kekulé畸变双层石墨烯中的等离激元，重点考察有效层间隧穿（EIT）的电子-空穴不对称性。结果显示，O/O与G/O双层的EIT均呈强电子-空穴不对称：O/O双层中反相等离激元带隙随电子浓度几乎不变、随空穴浓度迅速增大；G/O双层中增大Kekulé畸变Δ0会削弱EIT，电子掺杂下Δ0=0.3时EIT几乎关闭。研究结果表明，切换电子/空穴掺杂可调制反相等离激元器件性能。
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最新进展11月11日 13:00
东北师范大学与武汉大学团队在arXiv发表O型Kekulé畸变双层石墨烯等离激元电子-空穴不对称研究。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月11日
- arXiv cond-mat.mes-hall（介观与输运）O型Kekulé畸变双层石墨烯中的等离激元：有效层间隧穿的电子-空穴不对称性
东北师范大学与武汉大学团队用紧束缚模型和无规相位近似研究了O型Kekulé畸变双层石墨烯的等离激元，发现O/O与G/O双层的有效层间隧穿（EIT）均呈强电子-空穴不对称。O/O双层中反相等离激元带隙随电子浓度几乎不变、随空穴浓度迅速增大；G/O双层中增大Kekulé畸变Δ0会削弱EIT，电子掺杂下Δ0=0.3时EIT几乎关闭。结果表明切换电子/空穴掺杂可调制反相等离激元器件性能。
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