第一性原理EOM框架扩展至光激发半导体MoTe2

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   Physical Review B（新刊目录）

   光激发半导体中的相干声子：第一性原理 EOM 框架扩展至单层 MoTe2

   北京理工大学团队将第一性原理运动方程（EOM）框架扩展到光激发半导体，引入残余等离子体力与等离子体诱导的电子结构重整化。对单层 MoTe2 的计算表明，只有计入重整化能带结构，载流子密度依赖的 Te 位移才与约束密度泛函微扰理论一致；增加载流子密度会增强 A1g 模式的初始总力与等离子体移动的平衡位置，产生更大的相干晶格振荡，为超快反射率与时间、角分辨光电子谱提供互补信号。

当前热度 5·可比范围峰值 5（11月11日 16:00）·近 24 小时可比范围变化 –

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