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氧化锆中观测到亚纳米电畴
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AI 综述
2026年11月7日,Interesting Engineering报道,来自 Washington University in St. Louis 等机构的美国研究人员在氧化锆中观测到面积小于 1 nm² 的电畴。报道还提到,同一团队在另一项研究中实现了对氧化铪(hafnia)薄膜电学结构的电场切换。该发现被认为有望用于缩小芯片存储器。目前仅有这一篇报道,尚无更早的报道可供比对。
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最新进展11月7日 20:19
美国研究人员在氧化锆中观测到小于 1 nm² 的电畴,并实现氧化铪薄膜电学结构的电场切换。报道时间线
沿着报道,了解事件的不同侧面。
11月7日
- Interesting Engineering美国科学家在氧化锆中发现小于 1 nm² 的电畴,有望缩小芯片存储器
Washington University in St. Louis 等机构的研究人员在氧化锆中观测到面积小于 1 nm² 的电畴,并在另一项研究中实现了对氧化铪(hafnia)薄膜电学结构的电场切换。
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还没有足够的连续观测数据,暂不绘制趋势。