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五配位Si-220揭示硅β-Sn与BC8相转变机制
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AI 综述
2026-11-12，Physical Review B 新刊目录刊出报道：密度泛函理论与微动弹性带计算发现，硅在降压过程中经由一个高对称五配位结构 Si-220 连接高压 β-Sn 相与低压 BC8 相，配位数依次经历六、八、五、四的变化。Si-220 仅在 10 GPa 以上稳定，但在低压下作为鞍点可直接转变为 BT8、R8 和 BC8 三种低压相，有助于解释实验中观察到的多种 BC8 类结构。
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最新进展11月12日 18:00
Physical Review B 新刊目录刊出该研究，报道 Si-220 五配位结构连接硅高压与低压相的转变路径。报道时间线
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11月12日
- Physical Review B（新刊目录）五配位结构 Si-220 揭示硅高压 β-Sn 相与低压 BC8 相的转变机制
密度泛函理论与微动弹性带计算发现，硅在降压过程中经由一个高对称五配位结构 Si-220 连接高压 β-Sn 相与低压 BC8 相，配位数依次经历六、八、五、四的变化。Si-220 仅在 10 GPa 以上稳定，但在低压下作为鞍点可直接转变为 BT8、R8 和 BC8 三种低压相，有助于解释实验中观察到的多种 BC8 类结构。
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