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单层锡烯等离激元激发研究
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AI 综述
兰州大学团队在arXiv发表研究，采用含自旋轨道耦合的sp3紧束缚模型，结合有限温度多带Lindhard函数与随机相位近似，系统研究单层锡烯的高能与低能等离激元结构。研究发现，除graphene/silicene中已知的π和π+σ等离激元外，锡烯还支持两个新的高能等离激元分支；静电掺杂与垂直电场可在0.3 V/Å以下连续调控低能等离激元，使其覆盖太赫兹至中红外频段。
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最新进展11月10日 13:00
兰州大学团队发表锡烯等离激元研究，发现两个新高能分支并实现低能等离激元连续调控。报道时间线
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11月10日
- arXiv cond-mat.mes-hall（介观与输运）单层锡烯的等离激元激发研究
兰州大学团队用含自旋轨道耦合的 sp3 紧束缚模型结合有限温度多带 Lindhard 函数与随机相位近似，系统研究了单层锡烯的高能与低能等离激元结构。除 graphene/silicene 已知的 π 和 π+σ 等离激元外，锡烯还支持两个新的高能等离激元分支；静电掺杂与垂直电场可在 0.3 V/Å 以下连续调控低能等离激元，覆盖太赫兹至中红外频段。
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