商用CMOS工艺内制备非线性超导电感器
先了解这件事
2026年11月5日，Phys.org报道，nanoGUNE、Quantum Motion、Imperial College London和剑桥大学等团队在Nature Electronics发表研究，在商用CMOS工艺制造的硅集成电路内，用氮化钛（TiN）制备出非线性超导电感器。TiN的高动力学电感使其能在保持超导性能的同时做成紧凑高电感元件。11月8日，Interesting Engineering跟进报道同一研究，补充说明该超电感具高动力学电感，可嵌入硅电路构建射频单电子晶体管传感器，无需专用制造设施即可借助现有半导体代工厂实现量子器件规模化生产。
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报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
- Interesting Engineering硅基超电感实现 CMOS 商用工艺制备，助力量子芯片规模化生产
国际团队（nanoGUNE、Quantum Motion、Imperial College London、剑桥大学等）用商用 CMOS 工艺在硅电路中制备出基于氮化钛（TiN）的超电感，并在 Nature Electronics 发表。该超电感具高动力学电感，可嵌入硅电路构建射频单电子晶体管传感器，无需专用制造设施即可借助现有半导体代工厂实现量子器件规模化生产。
- Phys.org · PhysicsNature Electronics：商用CMOS工艺内制备非线性超导电感器
nanoGUNE、Quantum Motion、Imperial College London和剑桥大学等团队在Nature Electronics发表研究，在商用CMOS工艺制造的硅集成电路内，用氮化钛（TiN）制备出非线性超导电感器，TiN的高动力学电感使其能在保持超导性能的同时做成紧凑高电感元件。
本事件热度走势
当前热度 11·可比范围峰值 11（11月8日 18:00）·近 24 小时可比范围变化 +494%
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