UTe₂微波腔扰动测量显示各向异性剩余损耗

2026-11-12，马里兰大学团队在arXiv（cond-mat.supr-con）发表研究，用谐振腔微扰技术测量UTe₂单晶的微波表面阻抗。结果显示，低温下穿透深度与表面电阻均呈二次幂律且各向同性，而残余损耗呈系统性各向异性。作者指出，该幂律结果与弱散射下单一对点节点的预期不符，并据此讨论了拓扑超导作为这些各向同性幂律与各向异性残余损耗的可能解释。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。