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工业RPCVD生长高纯28Si外延层用于量子比特
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AI 综述
2026-11-10，arXiv cond-mat.mes-hall 发表报道，介绍在工业级减压化学气相沉积（RPCVD）系统中于区熔硅衬底上外延生长高纯28Si的工作。二次离子质谱（SIMS）确认外延层28Si同位素纯度达99.997%，29Si含量低于30 ppm。该成果面向高保真电子自旋量子比特应用。目前仅有这一篇报道，尚无后续进展。
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最新进展11月10日 13:00
arXiv首次报道工业RPCVD生长28Si同位素纯度99.997%、29Si低于30 ppm的外延层。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月10日
- arXiv cond-mat.mes-hall（介观与输运）工业RPCVD生长29Si含量低于30 ppm的高纯28Si外延层用于高保真电子自旋量子比特
论文报道在工业级减压化学气相沉积（RPCVD）系统中于区熔硅衬底上外延生长高纯28Si，二次离子质谱（SIMS）确认外延层28Si同位素纯度达99.997%，29Si含量低于30 ppm。
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