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4H−SiC 硅空位中心自旋弛豫与相干时间研究
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AI 综述
2026-11-09，Physical Review B 新刊目录刊出 Helmholtz-Zentrum Berlin 等机构的研究，报道 4H−SiC 中硅空位中心的电子自旋弛豫与相干时间测量。研究者用电子顺磁共振（EPR）在 T=80–300 K 温度范围内测得 4H−SiC 中 V1、V2 两种硅空位中心（自旋 S=3/2）的自旋浓度分别为 1.47±0.3×10¹⁴ 和 5.6±1.12×10¹³ spins/cm³。这是该事件目前唯一一条报道，尚无早先报道可供比对。
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报道时间线
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11月9日
- Physical Review B（新刊目录）4H−SiC 中硅空位中心的电子自旋弛豫与相干时间研究
Helmholtz-Zentrum Berlin 等机构用 EPR 在 T=80–300 K 下测得 4H−SiC 中 V1、V2 硅空位中心（S=3/2）的自旋浓度分别为 1.47±0.3×10¹⁴ 和 5.6±1.12×10¹³ spins/cm³。
本事件热度走势
当前热度 5·可比范围峰值 6（11月10日 15:00）·近 24 小时可比范围变化 –
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