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CNM双面3D硅传感器计时性能研究
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2026年11月11日，arXiv physics.ins-det 发布CNM双面p型3D硅传感器计时性能研究。该研究在1064 nm红外激光与90 Sr源测试下，对三种布局（六边形/方形、电极间距30 µm与50 µm）的传感器完成计时性能与空间均匀性评估，结果显示计时分辨率均随偏压升高而改善。二维激光扫描量化了计时响应的位置依赖性，其中方形30 µm布局在最高偏压下整体计时性能最佳。研究面向HL-LHC高堆积环境下的快速计时径迹探测应用。
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最新进展11月11日 13:00
arXiv发布CNM双面3D硅传感器计时性能研究，方形30 µm布局表现最佳。报道时间线
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11月11日
- arXiv physics.ins-det（探测器）CNM 双面 p 型 3D 硅传感器计时性能研究
CNM 生产的双面 p 型 3D 硅传感器在 1064 nm 红外激光与 90 Sr 源测试下完成计时性能与空间均匀性研究，三种布局（六边形/方形、电极间距 30 µm 与 50 µm）的计时分辨率均随偏压升高而改善。二维激光扫描量化了计时响应的位置依赖，其中方形 30 µm 布局在最高偏压下整体计时性能最佳。该研究面向 HL-LHC 高堆积环境下的快速计时径迹探测应用。
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