扭转铜氧化物双层中反铁磁与拓扑s+d+id超导共存

2026-11-09，arXiv cond-mat.str-el（强关联电子）刊出一篇论文，研究扭转铜氧化物双层中的反铁磁与拓扑超导共存问题。论文在t-t′-t⟂-J-J⟂微观模型框架下，采用含反铁磁序的扩展Gutzwiller波函数近似，对扭转铜氧化物双层进行求解。结果显示，θ∼45°的扭转可诱导出拓扑s+d+id超导；在低空穴掺杂δ≲0.15−0.16区间，该超导与反铁磁序稳健共存；在过掺杂区，于现实层间耦合条件下仍可实现这种共存。目前仅有这一篇报道，尚无后续进展。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。