MALTA2 CMOS传感器Edge-TCT电荷收集参数化与仿真验证

2026年11月12日，arXiv粒子实验板块报道了MALTA2 CMOS传感器的最新进展：研究人员通过Edge-TCT（边缘瞬态电流技术）数字读出对像素矩阵边缘进行激光扫描，实现了电荷收集的二维参数化，并将该参数化结果作为参数化像素仿真的输入，仿真结果随后已用测试束流数据验证。报道同时给出该传感器的关键性能指标：采用180 nm Tower CMOS工艺，异步读出时间分辨率达2 ns，可承受高达100 MHz/cm²的命中率，在Czochralski衬底上抗辐照能力达3×10¹⁵ 1 MeV neq/cm²。这是本事件的首篇报道，目前尚无更早的相互矛盾数据。

AI 根据报道生成 · 2 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。