GaAsSb/InAs核壳量子线生长与无序抑制研究

2026年11月12日，arXiv介观与输运板块刊发研究报告，介绍 GaAs1-xSbx/InAs 核壳纳米线的生长与输运性质。研究发现 Sb 的引入显著降低了核壳间的晶格失配：当组分 x 从 0.15 增至 0.35 时，InAs 壳层中堆垛层错等晶体缺陷密度减半，场效应迁移率由 3850 cm²/Vs 提升至 4800 cm²/Vs。磁电导测量观测到 Aharonov-Bohm 型振荡，表明 InAs 壳层具有相位相干的管状结构，说明晶格失配是核壳纳米线的关键无序来源。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。