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MnTe 薄膜反常霍尔效应起源于表面态
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AI 综述
2026-11-09，arXiv cond-mat.mes-hall 发布研究：研究者用分子束外延在 InP(111)A 衬底上生长 MnTe 薄膜，通过角分辨光电子能谱观测到约 230 meV 的体能带自旋劈裂，并识别出穿越费米能级的表面态，据此提出 MnTe 薄膜反常霍尔效应起源于表面态。目前仅有这一篇报道，尚无后续进展。
AI 根据报道生成 · 2 小时前更新
最新进展11月9日 13:00
arXiv 发布 MnTe 薄膜研究，观测到 230 meV 自旋劈裂与穿越费米能级的表面态。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月9日
- arXiv cond-mat.mes-hall（介观与输运）精选MnTe 薄膜反常霍尔效应起源于表面态
研究用分子束外延在 InP(111)A 衬底上生长 MnTe 薄膜，角分辨光电子能谱观测到约 230 meV 的体能带自旋劈裂并识别出穿越费米能级的表面态。
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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。