UB团队预测h-BN中10种缺陷光学指纹

2026年11月10日，据Phys.org报道，University at Buffalo（UB）团队预测了六方氮化硼（h-BN）中10种已知原子缺陷的光学指纹，成果发表于Nano Letters。研究中，计算机模型模拟了激光照射下不同缺陷对光强与偏振的影响，发现部分缺陷可使光频翻倍甚至三倍。此外，相同原子构成的缺陷因排列不同也会产生不同指纹，该方法有望用于区分缺陷，并筛选量子技术所需的缺陷。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。