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静电耦合自旋阀效应的理论提出
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AI 综述
2026-11-10，INL 的 J. Phillips 与 J. Fernández-Rossier 在 arXiv（cond-mat.mes-hall，介观与输运）提出一种自旋阀效应：绝缘磁性范德华多层膜通过静电耦合调控相邻非磁导体的电导，输运电子无需进入磁性层。密度泛函计算表明，电荷转移器件的磁阻比为 1.14-1.20，单电子晶体管（SET）中可达 103，涉及 CrI3、CrBr3、CrCl3 和 NiBr2 等材料。
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最新进展11月10日 13:00
INL 研究者提出基于静电耦合的自旋阀机制，SET 中磁阻比可达 103。报道时间线
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11月10日
- arXiv cond-mat.mes-hall（介观与输运）通过静电耦合实现的自旋阀效应
INL 的 J. Phillips 与 J. Fernández-Rossier 提出一种自旋阀效应：绝缘磁性范德华多层膜通过静电耦合调控相邻非磁导体的电导，输运电子无需进入磁性层。密度泛函计算表明，电荷转移器件的磁阻比为 1.14-1.20，单电子晶体管（SET）中可达 103，涉及 CrI3、CrBr3、CrCl3 和 NiBr2 等材料。
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