最宽带隙半导体首次制成可用晶体管

1. 23:25
   Interesting Engineering

   Cornell 团队研制出带隙超 7 eV 的超宽带隙半导体并制成晶体管

   Cornell University 研究团队在 Nature 发表研究，研制出带隙超过 7 eV 的半导体材料，为硅掺杂铝镓氧化物在蓝宝石上生长而成，打破了此前 6 eV 的纪录。

当前热度 5·可比范围峰值 10（11月6日 01:00）·近 24 小时可比范围变化 –

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