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金刚石GaV−缺陷实现室温光探测自旋相干
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AI 综述
2026年11月12日，Adam D. Dodson 等人在 arXiv quant-ph 报告了金刚石中新发现的负电荷镓空位缺陷 GaV−。该缺陷通过 FIB 注入并经高压高温退火制备，兼具 NV− 与 G4V 的优点：在室温（293 K）下实现光可探测自旋相干，T2 达 1.06 μs；Debye-Waller 因子约 0.4，辐射寿命约 3.83 ns；零场劈裂的温度依赖为 NV− 的 16 倍；并具有抗电荷噪声的 D3d 对称性。
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最新进展11月12日 12:31
arXiv 新报告金刚石 GaV− 缺陷在室温下实现光探测自旋相干，T2=1.06 μs。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月12日
- arXiv quant-ph（量子信息与量子物理）金刚石中 GaV− 缺陷实现室温光探测自旋相干
Adam D. Dodson 等人报告了金刚石中新发现的负电荷镓空位缺陷 GaV− 的物理性质，其经 FIB 注入和高压高温退火制备，兼具 NV− 与 G4V 的优点：室温（293 K）下光可探测自旋相干 T2=1.06 μs，Debye-Waller 因子约 0.4，辐射寿命约 3.83 ns，零场劈裂的温度依赖为 NV− 的 16 倍，并具有抗电荷噪声的 D3d 对称性。
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