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超电流驱动磁畴壁运动的理论方案
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AI 综述
2026-11-12，Jyväskylä 大学等作者在 Physical Review B 提出一种理论方案：在超导体/铁磁绝缘体双层中，利用逆自旋塞贝克效应产生的自旋积累，配合 Gilbert 阻尼驱动磁畴壁运动，无需等待自旋超电流。畴壁在超导体中的运动会产生可测电压 V=ℏq₀v_dw，且维持运动所需功率比正常态低几个量级，为低温计算中的磁存储提供低功耗方案。
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最新进展11月12日 18:00
Physical Review B 新刊目录刊出该理论方案，提出低功耗磁畴壁驱动新机制。报道时间线
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11月12日
- Physical Review B（新刊目录）超电流驱动磁畴壁运动的理论方案
Jyväskylä 大学等作者在 Physical Review B 提出用超导体/铁磁绝缘体双层中逆自旋塞贝克效应产生的自旋积累，配合 Gilbert 阻尼驱动磁畴壁运动，无需等自旋超电流。畴壁运动在超导体中产生可测电压 V=ℏq₀v_dw，维持运动所需功率比正常态低几个量级，为低温计算的磁存储提供低功耗方案。
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