多点构型影响SET电子温度与双量子点锁存

2026-11-10，arXiv cond-mat.mes-hall 报道 Regensburg 大学团队研究：在 Si/SiGe 栅控量子比特器件中，当单电子晶体管（SET）同时充当电荷传感器与相邻量子点的库时，其能谱会干扰量子点的脉冲栅谱测量；实验显示 SET 电子温度在 50 µV 偏压下即比参考实验高出 100 mK。基于此，研究建议此类器件采用不依赖库耦合的自旋量子比特初始化方案。团队还在少电子稳定性图上系统映射了双量子点的 latching 行为，证实其可调谐。

AI 根据报道生成 · 2 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。